[发明专利]用于铜互连金属化中的改善的阻挡结构及其形成方法

摘要

本发明公开了一种用于铜互连金属化中的改善的阻挡结构及其形成方法。该方法在多层集成电路结构的低K绝缘层中图案化至少一个开口，从而铜导体在该开口的底部暴露。然后该方法在第一腔中用第一氮化钽层装衬该开口的侧壁和底部并在第一腔中在第一氮化钽层上形成钽层。接着，在第一腔中对该开口进行溅射蚀刻，从而在开口的底部暴露导体。仍在第一腔中，第二氮化钽层形成在导体、钽层和第一氮化钽层上。在第二氮化钽层形成之后，这里该方法在不同的第二腔中在第二氮化钽层上形成包括铂族金属的闪光层。在此工艺之后，该结构可以移到第三腔，在第三腔中铜沉积在开口中的闪光层上直到该开口用铜涂覆。

主权项

1. 一种结构，包括：绝缘层中的至少一个开口；导体层，位于所述绝缘层下且在所述开口底部；第一氮化钽层，在所述开口的侧壁上；钽层，在所述第一氮化钽层上；第二氮化钽层，在所述钽层和所述导体层上；包括铂族金属的闪光层，在所述第二氮化钽层上；以及导电材料，填充所述开口且位于所述第二氮化钽层上。