[发明专利]光电池元件及显示面板有效

专利信息
申请号: 200910002059.3 申请日: 2009-01-12
公开(公告)号: CN101459202A 公开(公告)日: 2009-06-17
发明(设计)人: 卓恩宗;彭佳添;陈昱丞;林弘章;温亦谦;孙伟珉;洪集茂;陈俊雄 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L31/068 分类号: H01L31/068;H01L31/075;H01L27/142
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 姜 燕;陈 晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 一种光电池元件及显示面板,该光电池元件包括一第一电极、一N型掺杂富硅介电层、一P型掺杂富硅介电层以及一第二电极。N型掺杂富硅介电层位于第一电极上,其中N型掺杂富硅介电层中掺杂有一N型掺杂剂。P型掺杂富硅介电层位于N型掺杂富硅介电层上,其中P型掺杂富硅介电层中掺杂有一P型掺杂剂。第二电极位于P型掺杂富硅介电层上。本发明的光电池元件具有较佳的光电转换效率,以及较佳的结构稳定性。另外,光电池元件的膜层厚度要求可较薄,因此,其较容易整合于显示面板的工艺中。如此一来,当光电池元件因感光所产生的电能便可转为显示面板使用,进而达到节能省电的目的。
搜索关键词: 光电池 元件 显示 面板
【主权项】:
1. 一种光电池元件,包括:一第一电极;一N型掺杂富硅介电层,位于该第一电极上,其中该N型掺杂富硅介电层中掺杂有一N型掺杂剂;一P型掺杂富硅介电层,位于该N型掺杂富硅介电层上,其中该P型掺杂富硅介电层中掺杂有一P型掺杂剂;以及一第二电极,位于该P型掺杂富硅介电层上。
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