[发明专利]光电池元件及显示面板有效
申请号: | 200910002059.3 | 申请日: | 2009-01-12 |
公开(公告)号: | CN101459202A | 公开(公告)日: | 2009-06-17 |
发明(设计)人: | 卓恩宗;彭佳添;陈昱丞;林弘章;温亦谦;孙伟珉;洪集茂;陈俊雄 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/075;H01L27/142 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 姜 燕;陈 晨 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种光电池元件及显示面板,该光电池元件包括一第一电极、一N型掺杂富硅介电层、一P型掺杂富硅介电层以及一第二电极。N型掺杂富硅介电层位于第一电极上,其中N型掺杂富硅介电层中掺杂有一N型掺杂剂。P型掺杂富硅介电层位于N型掺杂富硅介电层上,其中P型掺杂富硅介电层中掺杂有一P型掺杂剂。第二电极位于P型掺杂富硅介电层上。本发明的光电池元件具有较佳的光电转换效率,以及较佳的结构稳定性。另外,光电池元件的膜层厚度要求可较薄,因此,其较容易整合于显示面板的工艺中。如此一来,当光电池元件因感光所产生的电能便可转为显示面板使用,进而达到节能省电的目的。 | ||
搜索关键词: | 光电池 元件 显示 面板 | ||
【主权项】:
1. 一种光电池元件,包括:一第一电极;一N型掺杂富硅介电层,位于该第一电极上,其中该N型掺杂富硅介电层中掺杂有一N型掺杂剂;一P型掺杂富硅介电层,位于该N型掺杂富硅介电层上,其中该P型掺杂富硅介电层中掺杂有一P型掺杂剂;以及一第二电极,位于该P型掺杂富硅介电层上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的