[发明专利]半导体机台的清洁方法有效
| 申请号： | 200910002545.5 | 申请日： | 2009-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN101783280A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 李宗达;唐瑞麟;罗志添;钟国保 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;C23C16/44;B08B7/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体机台的清洁方法。首先，对反应室进行第一清洁步骤，包括将清洁气体经由短反应气体注入管通入反应室中，以在反应室中产生清洁气体的等离子体。接着，对长反应气体注入管进行清洁步骤，包括将清洁气体经由长反应气体注入管通入反应室中。然后，对反应室进行第二清洁步骤，包括将清洁气体的等离子体经由短反应气体注入管通入反应室中。本发明的半导体机台的清洁方法能有效地清洁反应室内部以及反应气体注入管内壁。如此一来，能避免沉积于反应室内部以及反应气体注入管内壁的沉积物掉落至芯片上，以大幅提升芯片的产率与良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 机台 清洁 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体机台的清洁方法，包括：对反应室进行第一清洁步骤，包括将清洁气体经由短反应气体注入管通入该反应室中，以在该反应室中产生该清洁气体的等离子体；对长反应气体注入管进行清洁步骤，包括将该清洁气体经由该长反应气体注入管通入该反应室中；以及对该反应室进行第二清洁步骤，包括将该清洁气体的等离子体经由该短反应气体注入管通入该反应室中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
