[发明专利]改善倒装芯片基板变形的结构有效
| 申请号： | 200910002682.9 | 申请日： | 2009-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN101783333A | 公开（公告）日： | 2010-07-21 |
| 发明（设计）人： | 张腾宇;林贤杰;江国春;何信芳 | 申请（专利权）人： | 南亚电路板股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H05K1/02 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 姜燕;陈晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善倒装芯片基板变形的结构，包括：提供一倒装芯片基板，其中该倒装芯片基板上具有上表面与相反的下表面；一对第一金属线路层，形成于该上表面与该下表面之上；一对介电层，形成于该对第一金属层之上；一对第二金属线路层，形成于该对介电层之上；一对抗焊绝缘层，形成于该对第二金属线路层之上，其中位于该上表面、该下表面上方的两抗焊绝缘层、两第二金属线路层或两介电层的厚度差至少约5μm。本发明利用调整介电层、金属线路层与抗焊绝缘层的厚度，即可改善倒装芯片基板弯曲的问题，工艺操作上比现有技术容易，并借由不对称结构的设计，同样能改善倒装芯片基板弯曲的问题，借以提高封装的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 倒装 芯片 变形 结构 | ||
【主权项】：
一种改善倒装芯片基板变形的结构，包括：提供一倒装芯片基板，其具有上表面与相反的下表面；一对第一金属线路层，形成于该上表面与该下表面之上；一对介电层，形成于该对第一金属层之上；一对第二金属线路层，形成于该对介电层之上；一对抗焊绝缘层，形成于该对第二金属线路层之上；其中位于该上表面、该下表面上方的两抗焊绝缘层、两第二金属线路层或两介电层的厚度差至少约5μm。
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