[发明专利]光掩模、光掩模制造方法以及光掩模缺陷修正方法无效
申请号: | 200910003232.1 | 申请日: | 2009-01-21 |
公开(公告)号: | CN101498892A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 须田秀喜 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/14 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 光掩模缺陷修正方法、光掩模制造方法、相移掩模制造方法、光掩模、相移掩模、光掩模组以及图案转印方法。在第1光掩模(1)所形成的第1转印图案中产生的图案缺陷(4、5)中,仅对如下区域中的缺陷(4)进行修正,即进行使用第1光掩模(1)对被转印体进行的转印、和与第1光掩模(1)组合使用向同一被转印体转印第2转印图案的第2光掩模对被转印体进行的转印这两者时,在被转印体上第1转印图案所包含的图案中,通过第2转印图案的转印而不形成图案的区域之外的区域。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 制造 方法 以及 缺陷 修正 | ||
【主权项】:
1. 一种光掩模缺陷修正方法,其特征在于,在上述光掩模上形成的第1转印图案中产生的图案缺陷中,仅对如下区域中的图案缺陷进行缺陷修正,所述区域是:进行使用上述光掩模对被转印体进行的转印、和与上述光掩模组合使用向同一被转印体转印第2转印图案的第2光掩模对上述被转印体进行的转印这两者时,在上述被转印体上第1转印图案所包含的图案中,通过第2转印图案的转印而不形成图案的区域之外的区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于HOYA株式会社,未经HOYA株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910003232.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显影装置、处理卡盒、及图像形成装置
- 下一篇:液晶设备
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备