[发明专利]构建到半导体集成电路中的电器件有效
| 申请号： | 200910003276.4 | 申请日： | 2009-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN101492149A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 小岛章弘;杉崎吉昭;下冈义明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 杨晓光;于 静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种构建到半导体集成电路中的电器件。基底包括功能元件。绝缘的第一膜与基底一起形成容纳功能元件的腔体并且包括多个通孔。绝缘的第二膜覆盖所述多个通孔，形成在第一膜上，并且其透气性高于第一膜的透气性。绝缘的第三膜形成在第二膜上，并且其透气性低于第二膜的透气性。绝缘的第四膜形成在第三膜上，并且其弹性高于第三膜的弹性。 | ||
| 搜索关键词： | 构建 半导体 集成电路 中的 器件 | ||
【主权项】：
1.一种电器件，包括：基底，配置为包括功能元件；绝缘的第一膜，配置为与基底一起形成容纳功能元件的腔体并且包括多个通孔；绝缘的第二膜，配置为覆盖所述多个通孔，绝缘的第二膜形成在第一膜上，并且透气性高于第一膜的透气性；绝缘的第三膜，配置为至少形成在第二膜上，绝缘的第三膜的透气性低于第二膜的透气性；以及绝缘的第四膜，配置为形成在第三膜上，绝缘的第四膜的弹性高于第三膜的弹性。
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