[发明专利]绝缘体上硅器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910003681.6 | 申请日： | 2009-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN101488522A | 公开（公告）日： | 2009-07-22 |
| 发明（设计）人： | 金容铎;张太洙 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李昕巍 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种绝缘体上硅器件及其制造方法。该绝缘体上硅器件包括：绝缘体上硅衬底，包括顺序堆叠在半导体衬底上的第一掩埋氧化物层和硅层；栅极，形成于该绝缘体上硅衬底的硅层上；第二掩埋氧化物层，形成于所述栅极至少一侧的硅层的下部分中，其中所述第二掩埋氧化物层形成得使该第二掩埋氧化物层的下部分接触该第一掩埋氧化物层；以及结区域，形成于该第二掩埋氧化物层之上的该硅层中从而该结区域的下部分接触该第二掩埋氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种绝缘体上硅器件，包括：绝缘体上硅衬底，包括顺序堆叠在半导体衬底上的第一掩埋氧化物层和硅层；栅极，形成于该绝缘体上硅衬底的硅层上；第二掩埋氧化物层，形成于所述栅极至少一侧的硅层的下部分中，其中所述第二掩埋氧化物层形成得使该第二掩埋氧化物层的下部分接触该第一掩埋氧化物层；以及结区域，形成于该第二掩埋氧化物层之上的该硅层中使得该结区域的下部分接触该第二掩埋氧化物层。
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