[发明专利]掺杂硼的精制硅的制造方法无效
申请号: | 200910003897.2 | 申请日: | 2009-02-12 |
公开(公告)号: | CN101508436A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | 惠智裕;田渊宏 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
主分类号: | C01B33/021 | 分类号: | C01B33/021;C01B33/033 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 朱 丹 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种掺杂硼的精制硅的制造方法,其是用金属铝还原卤化硅而得到还原硅,并从该还原硅、以较少的能量制造掺杂硼的硅(精制硅)的方法。本发明的制造方法的特征在于,用金属铝还原卤化硅而得到还原硅,加热熔融得到的还原硅,掺杂硼,然后在铸模内,在一个方向上设置树脂温度梯度的状态下使其凝结,由此进行精制。优选在酸洗还原硅之后加热熔融,掺杂硼。在减压下加热熔融还原硅之后,掺杂硼。在加热熔融还原硅之后使其在一个方向上凝结,精制,然后加热熔融,掺杂硼。 | ||
搜索关键词: | 掺杂 精制 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种精制硅的制造方法,其中,具有:生成含有硅、铝及硼的混合熔融物的步骤;和在铸模内,在一个方向上设置温度梯度的状态下,使所述混合熔融物凝结的步骤。
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