[发明专利]磁阻效应元件和其制备方法无效
| 申请号： | 200910004000.8 | 申请日： | 2009-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN101499515A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 福泽英明;村上修一;汤浅裕美;藤庆彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11B5/39 |
| 代理公司： | 上海市华诚律师事务所 | 代理人： | 丁利华 |
| 地址： | 日本国东京*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可实现更大MR变化率的磁阻效应元件。一种磁阻效应元件，其特征在于，具有磁阻效应膜和用于使电流沿与上述磁阻效应膜的膜面垂直的方向流过的一对电极，所述磁阻效应膜含有磁化方向实质上固定在单向上的磁化固定层、磁化方向根据外部磁场而变化的磁化自由层、在上述磁化固定层与上述磁化自由层之间设置的中间层、在上述磁化固定层或者磁化自由层上设置的盖层，和在上述磁化固定层中、上述磁化自由层中、上述磁化固定层与上述中间层的界面、上述中间层与上述磁化自由层的界面、以及上述磁化固定层或者磁化自由层与上述盖层的界面的任一者上设置的功能层，上述功能层含有包含Fe含量大于等于5原子％的金属材料和氮的层。 | ||
| 搜索关键词： | 磁阻 效应 元件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种磁阻效应元件，其特征在于，具有磁阻效应膜和用于使电流沿与上述磁阻效应膜的膜面垂直的方向流过的一对电极，所述磁阻效应膜含有磁化方向实质上固定在单向上的磁化固定层、磁化方向根据外部磁场而变化的磁化自由层、在上述磁化固定层与上述磁化自由层之间设置的中间层、在上述磁化固定层或者磁化自由层上设置的盖层、和在上述磁化固定层中、上述磁化自由层中、上述磁化固定层与上述中间层的界面、上述中间层与上述磁化自由层的界面、以及上述磁化固定层或者磁化自由层与上述盖层的界面的任一者上设置的功能层，上述功能层含有包含Fe含量大于等于5原子％的金属材料和氮的层。
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