[发明专利]离子注入方法及设备有效
申请号: | 200910004112.3 | 申请日: | 2009-02-12 |
公开(公告)号: | CN101510505A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | 日野雅泰 | 申请(专利权)人: | 日新离子机器株式会社 |
主分类号: | H01L21/265 | 分类号: | H01L21/265;H01J37/317 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 孙志湧;穆德骏 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种离子注入方法及设备。使用离子束的束电流、到基板的剂量,以及基准扫描速度,计算作为其中小数点后面的数字被截掉的整数值的基板的扫描次数。如果扫描次数小于2,则中断处理。如果扫描次数等于或者大于2,则确定扫描次数是偶数还是奇数。如果扫描次数是偶数,则将当前的扫描次数设置为实际的扫描次数。如果扫描次数是奇数,则获得比奇数扫描次数小1的偶数扫描次数,并将获得的偶数扫描次数设置为实际的扫描次数。通过使用实际的扫描次数、束电流以及剂量计算基板的实际的扫描速度。 | ||
搜索关键词: | 离子 注入 方法 设备 | ||
【主权项】:
1. 一种离子注入方法,其利用带状离子束和在与离子束的主面交叉的方向上对基板的机械扫描来将离子注入基板,其中在所述离子束中,在执行或者不执行X方向的电扫描的情况下,X方向上的尺寸都大于与X方向正交的Y方向上的尺寸,所述方法包括:通过利用离子束的束电流、到基板的剂量、以及被用作用于计算基板的扫描次数的基准的基准扫描速度,来计算作为其中小数点后面的数字被截掉的整数值的基板的扫描次数;确定计算的扫描次数是否为2或更大;如果扫描次数小于2,则中断获得实际的扫描次数和实际的扫描速度的处理;如果扫描次数等于或者大于2,则确定计算的扫描次数是偶数还是奇数;如果扫描次数是偶数,则将当前的扫描次数设置为实际的扫描次数;并且,如果扫描次数是奇数,则获得比奇数扫描次数小1的偶数扫描次数,并且将获得的偶数扫描次数设置为实际的扫描次数;通过利用实际的扫描次数、束电流、以及剂量来计算基板的实际的扫描速度;以及根据实际的扫描次数和实际的扫描速度对基板执行离子注入。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日新离子机器株式会社,未经日新离子机器株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910004112.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电子部件搭载用基板和电子部件
- 下一篇:显示装置和电子设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造