[发明专利]晶片级互连和方法无效
| 申请号： | 200910004396.6 | 申请日： | 2009-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN101556975A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | W·E·小伯迪克;J·S·埃尔鲍姆;K·R·纳加卡;S·S·托纳皮 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L31/05 | 分类号： | H01L31/05;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曾祥夌;曹 若 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及晶片级互连和方法，具体而言，半导体组件包括联接到不同信号类型(40，42)的各个接触区域上的背面接触垫(15)，和通过信号类型隔离背面接触区域的绝缘体(18)。该半导体组件还包括涂覆金属(36)，该涂覆金属位于绝缘体的至少一部分之上并互相连接背面接触垫。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 互连 方法 | ||
【主权项】：
1.一种光伏电池组件(1)，包括：(a)光伏电池(10)，其包括联接到不同极性的接触区域的背面接触垫(15)，和通过极性隔离所述背面接触垫的绝缘体(18)；以及(b)涂覆金属(36)，其位于所述绝缘体的至少一部分之上，并互相连接所述背面接触垫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
