[发明专利]取向碳纳米管集合体的制造方法以及制造装置无效
| 申请号： | 200910004464.9 | 申请日： | 2009-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101597051A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 畠贤治;保田谕;汤村守雄 | 申请（专利权）人： | 独立行政法人产业技术综合研究所 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 许海兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种取向碳纳米管集合体的制造方法以及制造装置，可以实现与取向CNT集合体的生长高度对应的CVD装置的自动控制，可以量产期望高度的取向CNT集合体。在基板(2)上向生长中的取向碳纳米管集合体(11)照射平行光(L)，利用使用了以焦距为无限远的方式发挥功能的远心光学系统的测定部(13)测定其影子的大小，从而实时地检测取向碳纳米管集合体的生长高度，并且合成取向碳纳米管集合体，在取向碳纳米管集合体的生长高度成为规定状态时，停止合成取向碳纳米管集合体。 | ||
| 搜索关键词： | 取向 纳米 集合体 制造 方法 以及 装置 | ||
【主权项】：
1.一种取向碳纳米管集合体的制造方法，其特征在于，对在基板上生长中的取向碳纳米管集合体照射平行光，利用使用了远心光学系统的测定部测定其影子的大小，从而检测取向碳纳米管集合体的生长高度，在该检测值成为规定状态时，停止取向碳纳米管集合体的合成。
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