[发明专利]非易失性存储器

摘要

一种非易失性存储器，包括基底、两个第一导体层、第二导体层、第一介电层、第二介电层及两个重掺杂区。基底中具有至少二隔离结构以及这些隔离结构之间的有源区。两个第一导体层分别配置于这些隔离结构上。第二导体层配置于基底上，且覆盖部分的有源区以及部分的各第一导体层。第一介电层配置于各第一导体层与第二导体层之间。第二介电层配置于有源区上的第二导体层与基底之间。两个重掺杂区分别配置于有源区上的第二导体层的两侧的基底中。

主权项

一种非易失性存储器，包括：基底，该基底中具有至少二隔离结构以及所述隔离结构之间的有源区；两个第一导体层，分别配置于所述隔离结构上；第二导体层，配置于该基底上，且覆盖部分的有源区以及部分的各第一导体层；第一介电层，配置于各第一导体层与该第二导体层之间；第二介电层，配置于该有源区上的该第二导体层与该基底之间；以及两个重掺杂区，分别配置于该有源区上的该第二导体层的两侧的该基底中。