[发明专利]制造III族氮化物基化合物半导体的方法、晶片以及III族氮化物基化合物半导体器件有效
| 申请号： | 200910005143.0 | 申请日： | 2009-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN101499415A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 永井诚二;山崎史郎;佐藤峻之;药师康英;奥野浩司;五所野尾浩一 | 申请（专利权）人： | 丰田合成株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L27/12;C23C16/34 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 蔡胜有;刘继富 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供制造III族氮化物基化合物半导体的方法、晶片以及III族氮化物基化合物半导体器件。所述方法制造具有M-晶面主表面的III族氮化物基化合物半导体。所述方法采用具有主表面的蓝宝石衬底，该主表面围绕由R-晶面和与R-晶面垂直的A-晶面所形成的L蓝宝石-AM相交线相对于R-晶面成30°倾斜。蓝宝石衬底的R-晶面表面被暴露，在衬底的主表面上形成二氧化硅掩模。在暴露的R-晶面表面上形成AlN缓冲层。在AlN缓冲层上形成GaN层。在GaN生长的初始阶段，通过横向生长使GaN层完全覆盖蓝宝石衬底的上表面。生长GaN层以使所述层的a-轴垂直于蓝宝石衬底的暴露的R-晶面表面；所述层的c-轴平行于蓝宝石衬底的轴向L蓝宝石-AM；所述层的m-轴垂直于蓝宝石衬底的主表面。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 iii 氮化物 化合物 半导体 方法 晶片 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
1. 一种制造III族氮化物基化合物半导体的方法，包括：加工蓝宝石衬底的主表面，所述主表面围绕由R-晶面和与R-晶面垂直的A-晶面所形成的相交线相对于R-晶面成30°倾斜，由此暴露出相对于所述主表面成30°倾斜的R-晶面表面；和通过缓冲层的调节，主要在所述蓝宝石衬底的所述暴露的R-晶面表面上外延生长目标III族氮化物基化合物半导体，使得所述III族氮化物基化合物半导体具有平行于所述蓝宝石衬底的所述暴露的R-晶面表面的A-晶面表面，由此形成具有平行于所述蓝宝石衬底主表面的M-晶面主表面的III族氮化物基化合物半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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