[发明专利]半导体传感器以及半导体传感器的制造方法有效
| 申请号： | 200910005272.X | 申请日： | 2009-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN101493394A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 泷泽照夫;近藤贵幸;轰原正义 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | G01N5/02 | 分类号： | G01N5/02;H01L41/083;H01L41/22 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余 刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种廉价且高灵敏度的半导体传感器以及该半导体传感器的制造方法。其中，该半导体传感器包括：多层压电薄膜，层压在半导体基板上；一对电极，形成在所述多层压电薄膜中的至少上下一对的压电薄膜的界面上，用于激发表面弹性波；金属薄膜，形成在最下层的压电薄膜与所述最下层的压电薄膜正下面的薄膜的界面上，并且，促进最上层的压电薄膜的表面上的凸凹部的生成；以及感应膜，在所述最上层的压电薄膜上至少形成在所述凸凹部上，用于分子吸附。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 传感器 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体传感器，其特征在于，包括：多层压电薄膜，层压在半导体基板上；一对电极，形成在所述多层压电薄膜中的至少上下一对的压电薄膜的界面上，用于激发表面弹性波；金属薄膜，形成在最下层的压电薄膜与所述最下层的压电薄膜正下面的薄膜的界面上，并且，该金属薄膜促进最上层的压电薄膜的表面上的凸凹部的生成；以及感应膜，在所述最上层的压电薄膜上至少形成在所述凸凹部上，用于分子吸附。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社，未经精工爱普生株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910005272.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：瞬时侦测电路以及集成电路
- 下一篇：蜗杆螺纹夹紧装置
