[发明专利]沟渠式金氧半导体元件的制作方法无效
| 申请号： | 200910005308.4 | 申请日： | 2009-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN101800193A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 叶俊莹 | 申请（专利权）人： | 尼克森微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/31;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟渠式金氧半导体元件的制作方法。首先，提供一半导体底材；随后，制作多个栅极沟渠于此半导体底材内；接下来，制作一侧壁保护层于栅极沟渠的侧壁，并以此侧壁保护层为掩膜，植入氧离子至栅极沟渠的底部，藉以在栅极沟渠的底面生成一底部氧化层，以达到降低栅极至漏极的电容值的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 沟渠 式金氧 半导体 元件 制作方法 | ||
【主权项】：
一种沟渠式金氧半导体元件的制作方法，其特征在于，包括：提供一半导体底材；制作多个栅极沟渠于所述半导体底材内；制作多个侧壁保护层于所述栅极沟渠的侧壁；以这些侧壁保护层为掩膜，植入氧离子至所述栅极沟渠的底部；生成一底部氧化层于所述栅极沟渠的底面；生成一栅极氧化层于所述栅极沟渠的侧壁；制作多个多晶硅栅极于这些栅极沟渠内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于尼克森微电子股份有限公司，未经尼克森微电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910005308.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种消除金属绞线应力的后成型装置
- 下一篇：带暗锁的废物收集箱
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
