[发明专利]半导体处理用的成膜方法和装置

摘要

本发明提供一种半导体处理用的成膜方法和装置。该成膜方法能够有选择地供给包含硅烷类气体的第一处理气体和包含氮化气体的第二处理气体，并且在与用于在供给第二处理气体时对其进行激发的激发机构连通的处理区域内反复进行多次等离子体循环和非等离子体循环，在被处理基板上形成硅氮化膜。该方法包括：求取表示等离子体循环和非等离子体循环的循环混合方式相对于硅氮化膜的膜质要素的关系的关系式或关系表的工序；根据膜质要素的目标值并参照关系式或关系表，决定循环混合方式的具体方式的工序；和根据具体方式安排成膜处理的工序。

主权项

1. 一种半导体处理用的成膜方法，其能够有选择地供给包含硅烷类气体的第一处理气体和包含氮化气体的第二处理气体，并且在与用于在供给所述第二处理气体时对其进行激发的激发机构连通的处理容器的处理区域内，进行在被处理基板上形成硅氮化膜的成膜处理，该半导体处理用的成膜方法的特征在于：所述成膜处理是在配置有所述被处理基板的所述处理区域内反复进行多次等离子体循环和非等离子体循环，通过叠层在每个所述循环内形成的薄膜而在所述被处理基板上形成具有规定的厚度的硅氮化膜，所述等离子体循环和非等离子体循环各自包括：向所述处理区域供给所述第一处理气体，另一方面维持不向所述处理区域供给所述第二处理气体的第一供给工序；和向所述处理区域供给所述第二处理气体，另一方面维持不向所述处理区域供给所述第一处理气体的第二供给工序，并且，在所述等离子体循环中，所述第二供给工序具有在已通过所述激发机构将所述第二处理气体激发的状态下将其供向所述处理区域的激发期间，在所述非等离子体循环中，所述第二供给工序不具有通过所述激发机构激发所述第二处理气体的期间，所述方法包括：求取表示所述等离子体循环和所述非等离子体循环的循环混合方式相对于所述硅氮化膜的膜质要素的关系的关系式或关系表的工序；根据所述膜质要素的目标值并参照所述关系式或关系表，决定所述循环混合方式的具体方式的工序；和根据所述具体方式安排所述成膜处理，然后进行所述成膜处理的工序。