[发明专利]击穿电压提高的金属氧化物半导体(MOS)晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200910005558.8 | 申请日： | 2009-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN101494241A | 公开（公告）日： | 2009-07-29 |
| 发明（设计）人： | 玛利安·乌德瑞·斯班内;肖邦-米哈依·庞贝斯库;拉兹洛·利普赛依 | 申请（专利权）人： | 凹凸电子（武汉）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/08;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京北翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 谢 静;杨 勇 |
| 地址： | 430074湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种击穿电压提高的晶体管及其制造方法，所述晶体管包括：具有第一导电类型和第一掺杂浓度的衬底；布置在所述衬底的具有第二导电类型的漏区和源区；布置在所述源区和所述漏区的栅极，且所述栅极与所述衬底被栅极氧化层隔开；布置在所述栅极氧化层下的所述衬底的具有所述第一导电类型的调节植入区，所述调节植入区具有比所述第一掺杂浓度高的所述第二掺杂浓度；和形成于所述调节植入区和所述漏区之间的平面结，所述调节植入区和所述漏区具有一个预定形状，以便形成表面曲率指向所述漏区的所述平面结，进而释放所述平面结所在处的电场强度。 | ||
| 搜索关键词： | 击穿 电压 提高 金属 氧化物 半导体 mos 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，其特征在于，所述晶体管包括：具有第一导电类型和第一掺杂浓度的衬底；布置在所述衬底的具有第二导电类型的漏区和源区；布置在所述源区和所述漏区的栅极，且所述栅极与所述衬底被栅极氧化层隔开；布置在所述栅极氧化层下的所述衬底的具有所述第一导电类型的调节植入区，所述调节植入区具有比所述第一掺杂浓度高的第二掺杂浓度；和形成于所述调节植入区和所述漏区之间的平面结，所述调节植入区和所述漏区具有一个预定形状，以便形成表面曲率指向所述漏区的所述平面结，进而释放所述平面结所在处的电场强度。
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