[发明专利]图案形成方法、半导体装置的制造方法及制造装置无效
| 申请号： | 200910005640.0 | 申请日： | 2009-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101510511A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 志村悟 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213;H01L21/768;G03F7/00;G03F7/16 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种图案形成方法、半导体装置的制造方法及制造装置，其不需要硬掩模就能够以高精度形成微细图案，并可以比以往简化工序和降低制造半导体装置的成本。本发明为形成成为蚀刻掩模的规定形状的图案的方法，其具备以下工序：使含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂进行图案化而形成第1图案(106)的工序；使碱性溶液或碱性气体与前述第1图案(106)接触而形成具有溶剂耐性和显影液耐性的第1图案(107)的工序；使含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂进行图案化而形成第2图案(108)的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 形成 方法 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
1. 一种图案形成方法，其特征在于，其为形成规定形状的图案的方法，该规定形状的图案成为蚀刻基板上的被蚀刻层的掩模，其具备以下工序：将含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂进行涂布、曝光、显影而形成第1图案的第1图案形成工序；使碱性溶液或碱性气体与前述第1图案接触而向该第1图案赋予溶剂耐性和显影液耐性的溶剂耐性和显影液耐性赋予工序；将含有产酸剂的化学增幅型抗蚀剂进行涂布、曝光、显影而形成第2图案的第2图案形成工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
