[发明专利]一种包含凹陷部位电极的集成电路有效
| 申请号： | 200910005846.3 | 申请日： | 2009-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN102024838A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 马修·布雷杜斯克;陈士弘;汤玛斯·汉普;艾瑞克·乔瑟夫 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司;奇梦达股份有限公司;国际商用机器公司 |
| 主分类号： | H01L27/24 | 分类号： | H01L27/24;H01L45/00;H01L21/70 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种包含凹陷部位电极的集成电路。该集成电路包含一第一电极包含一刻蚀的凹陷部位；一第二电极；以及一电阻变化材料填充该凹陷部位并耦接至该第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 包含 凹陷 部位 电极 集成电路 | ||
【主权项】：
一种集成电路，其特征在于，包含：一第一电极，包含一刻蚀的凹陷部位；一第二电极；以及一电阻变化材料填充该凹陷部位并耦接至该第二电极。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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