[发明专利]有机金属化合物、方法及使用方法无效
| 申请号： | 200910005989.4 | 申请日： | 2009-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101508706A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | D·M·汤普森;J·吉尔里;A·R·拉瓦;J·E·多明格斯 | 申请（专利权）人： | 普莱克斯技术有限公司 |
| 主分类号： | C07F15/00 | 分类号： | C07F15/00;C07F15/02;C23C16/18;H01L21/48;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘 健;韦欣华 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及式(L1)yM(L2)z代表的有机金属化合物，其中M是金属或准金属，L1是相同或不同的，并且是(i)取代或未取代的阴离子4电子给体配体或(ii)具有中性2电子给体侧基部分的取代或未取代的阴离子4电子给体配体，L2是相同或不同的，并且是(i)取代或未取代的阴离子2电子给体配体或(ii)取代或未取代的中性2电子给体配体；y是2的整数；并且z是0-2的整数；并且其中M的氧化数与L1和L2的电荷数的加和等于0；制备有机金属化合物的方法，以及由有机金属化合物产生膜或涂层的方法。所述有机金属化合物可作为膜沉积的化学蒸气或原子层沉积前体而用于半导体应用中。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 金属 化合物 方法 使用方法 | ||
【主权项】：
1. 式(L1)yM(L2)z代表的化合物，其中M是金属或准金属，L1是相同或不同的，并且是(i)取代或未取代的阴离子4电子给体配体或(ii)具有中性2电子给体侧基部分的取代或未取代的阴离子4电子给体配体，L2是相同或不同的，并且是(i)取代或未取代的阴离子2电子给体配体或(ii)取代或未取代的中性2电子给体配体；y是2的整数；并且z是0-2的整数；并且其中M的氧化数与L1和L2的电荷数的加和等于0。
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