[发明专利]单体、树脂、使用该树脂的抗蚀剂组合物及生产半导体器件的方法有效
| 申请号： | 200910005998.3 | 申请日： | 2009-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101497599A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 野崎耕司 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | C07D335/02 | 分类号： | C07D335/02;C08F20/38;G03F7/004;G03F7/20;H01L21/027 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张龙哺;陈 晨 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及通式I表示的单体，通式I其中，R1和R3各自为-H基或-CH3基，且R1和R3相同或不同；R2为苯基或金刚烷基；Q1为C1-4全氟烷基。本发明还涉及包括该单体作为结构单元的含锍盐侧链的树脂，使用该树脂的抗蚀剂组合物及生产半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 单体 树脂 使用 抗蚀剂 组合 生产 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种单体，其由下述通式I表示：通式I其中，R1和R3各自为-H基或-CH3基，且R1和R3相同或不同；R2为苯基或金刚烷基；Q1为C1-4全氟烷基。
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