[发明专利]带有透明导电膜的透明基体及其制造方法、以及含有该基体的光电转换元件

摘要

本发明提供一种带有透明导电膜的透明基体的制造方法，包括向透明基体上提供含有金属化合物、氧化原料以及氯化氢的原料气体并利用热分解氧化法在透明基体上形成以结晶性金属氧化物为主成分的透明导电膜的工序，上述工序按照顺序包括：在原料气体中氯化氢相对于金属化合物的摩尔比为0.5～5的第1工序；上述摩尔比为2～10且大于第1工序中的上述摩尔比的第2工序。利用本发明，可以提供一种透明导电膜的厚度为300nm～750nm、模糊率(haze ratio)为15％以上的带有透明导电膜的透明基体。由此，本发明提供一种具有即使膜厚度薄也有高的表面凹凸不平的透明导电膜的透明基体。

主权项

1. 一种带有透明导电膜的透明基体，包括透明基体和在所述透明基体上形成的以结晶性金属氧化物为主成分的透明导电膜，其中，所述透明导电膜的厚度为300nm～750nm，所述带有透明导电膜的透明基体的模糊率为15％以上，对于从X线衍射图形计算出的与所述结晶性氧化物的取向面对应的峰面积，将(110)面的峰面积作为100，其它所有取向面的峰面积为80以下。