[发明专利]非易失性存储元件的操作方法

摘要

一种非易失性存储元件的操作方法。此存储元件包括衬底、栅极、绝缘层、一电荷储存层与多层穿隧介电结构。衬底具有二源/漏极区，通过沟道区分隔。栅极，设置于衬底上。绝缘层设置于该沟道区上。电荷储存层，设置于绝缘层上。多层穿隧介电结构设置于电荷储存层和栅极之间。通过施加负偏压于栅极，使多个第一型载子自栅极经由多层穿隧介电结构穿隧进入电荷储存层，且通过施加正向偏压于栅极，使多个第二型载子自栅极经由多层穿隧介电结构栅极穿隧进入电荷储存层。

主权项

1. 一种存储元件，其特征在于包括：一衬底，具有二源/漏极区，前述二个源/漏极区通过一沟道区分隔；一栅极，设置于该衬底上；一绝缘层，设置于该沟道区上；一电荷储存层，设置于该绝缘层上；以及一穿隧介电结构，设置于该电荷储存层和该栅极之间，其中通过施加一负偏压于该栅极，使多个第一型载子自该栅极经由上述穿隧介电结构穿隧进入上述电荷储存层，且通过施加一正向偏压于上述栅极，使多个第二型载子自上述栅极经由上述穿隧介电结构栅极穿隧进入上述电荷储存层。