[发明专利]图像传感器及其制造方法有效
申请号: | 200910006369.2 | 申请日: | 2009-02-16 |
公开(公告)号: | CN101510553A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | 金弘基;李德炯;卢铉弼 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/528;H01L21/822 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张 波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括:基板,其具有传感器阵列区域和外围电路区域;第一绝缘膜结构,其形成于外围电路区域上,该第一绝缘膜结构包括多个第一多层布线线路;以及第二绝缘膜结构,其形成于传感器阵列区域上,该第二绝缘膜结构包括多个第二多层布线线路。多个第一多层布线线路的最上层布线线路比多个第二多层布线线路的最上层布线线路高。第一绝缘膜结构包括各向同性蚀刻终止层,第二绝缘膜结构不包括各向同性蚀刻终止层。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1. 一种图像传感器,其包括:基板,其具有传感器阵列区域和外围电路区域;第一绝缘膜结构,其形成于所述外围电路区域上,所述第一绝缘膜结构包括多个第一多层布线线路;以及第二绝缘膜结构,其形成于所述传感器阵列区域上,所述第二绝缘膜结构包括多个第二多层布线线路,其中所述多个第一多层布线线路的最上层布线线路比所述多个第二多层布线线路的最上层布线线路高,所述第一绝缘膜结构包括各向同性蚀刻终止层,所述第二绝缘膜结构不包括所述各向同性蚀刻终止层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910006369.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:发电装置及电动装置
- 下一篇:制造半导体器件的方法和半导体器件
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的