[发明专利]图像传感器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200910006369.2 申请日: 2009-02-16
公开(公告)号: CN101510553A 公开(公告)日: 2009-08-19
发明(设计)人: 金弘基;李德炯;卢铉弼 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L23/528;H01L21/822
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 张 波
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种图像传感器及其制造方法。该图像传感器包括:基板,其具有传感器阵列区域和外围电路区域;第一绝缘膜结构,其形成于外围电路区域上,该第一绝缘膜结构包括多个第一多层布线线路;以及第二绝缘膜结构,其形成于传感器阵列区域上,该第二绝缘膜结构包括多个第二多层布线线路。多个第一多层布线线路的最上层布线线路比多个第二多层布线线路的最上层布线线路高。第一绝缘膜结构包括各向同性蚀刻终止层,第二绝缘膜结构不包括各向同性蚀刻终止层。
搜索关键词: 图像传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
1. 一种图像传感器,其包括:基板,其具有传感器阵列区域和外围电路区域;第一绝缘膜结构,其形成于所述外围电路区域上,所述第一绝缘膜结构包括多个第一多层布线线路;以及第二绝缘膜结构,其形成于所述传感器阵列区域上,所述第二绝缘膜结构包括多个第二多层布线线路,其中所述多个第一多层布线线路的最上层布线线路比所述多个第二多层布线线路的最上层布线线路高,所述第一绝缘膜结构包括各向同性蚀刻终止层,所述第二绝缘膜结构不包括所述各向同性蚀刻终止层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910006369.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top