[发明专利]制造Ⅲ族氮化物晶体的方法无效
| 申请号： | 200910006384.7 | 申请日： | 2009-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN101509146A | 公开（公告）日： | 2009-08-19 |
| 发明（设计）人： | 佐藤史隆;中畑成二 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/20;C30B33/12;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈海涛;樊卫民 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了III族氮化物晶体的制造方法，借此方法，当除去III族氮化物衬底时，III族氮化物晶体中的破裂发生率保持最小。III族氮化物晶体制造方法包括：在III族氮化物衬底(10)的一个主面(10m)上生长III族氮化物晶体(20)的步骤，其中至少III族氮化物晶体(20的构成原子类型和比例、或其掺杂剂类型和浓度与III族氮化物衬底(10)不同；以及通过气相腐蚀除去III族氮化物衬底(10)的步骤。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 氮化物 晶体 方法 | ||
【主权项】：
1. III族氮化物晶体制造方法，包括：在III族氮化物衬底的一个主面上生长III族氮化物晶体的步骤，其中至少所述III族氮化物晶体的构成原子类型和比例、或其掺杂剂类型和浓度与所述III族氮化物衬底不同；以及通过气相腐蚀除去所述III族氮化物衬底的步骤。
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