[发明专利]铜铟镓硒太阳能电池、其吸收层薄膜及该薄膜的制备方法、设备无效
申请号: | 200910006531.0 | 申请日: | 2009-02-17 |
公开(公告)号: | CN101740660A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 夏莹菲;赵夔;陆贞冀 | 申请(专利权)人: | 北京华仁合创太阳能科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216;H01L31/032;H01L31/042;C03C17/36 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 祁建国;梁挥 |
地址: | 100080 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种铜铟镓硒太阳能电池吸收层薄膜的制备方法,第一步先沉积铜、铟、镓三元金属薄膜,再蒸镀上一层硒薄膜形成纳米量级的铜铟镓硒薄膜结构,Se蒸镀源的温度为260~300℃,重复上述步骤10~50次;第二步再将叠加起来的铜铟镓硒吸收层薄膜做快速退火处理,即得到微米量级的多晶铜铟镓硒薄膜。本发明的优点是:各种元素比例可以得到精确控制;相比其他制备铜铟镓硒薄膜的方法,各元素在薄膜整个厚度范围中分布均匀,变化梯度小;整个工艺过程简单方便,适合大规模连续生产。另外,本发明也公开了上述方法所得到的铜铟镓硒太阳能电池的铜铟镓硒吸收层薄膜、包含此铜铟镓硒太阳能电池的铜铟镓硒吸收层薄膜的太阳能电池以及上述方法所使用的制造设备。 | ||
搜索关键词: | 铜铟镓硒 太阳能电池 吸收 薄膜 制备 方法 设备 | ||
【主权项】:
一种微-纳技术制备铜铟镓硒太阳能电池的铜铟镓硒吸收层薄膜的方法,其特征在于,包括步骤:步骤1:制备第一层纳米量级厚度的铜铟镓硒吸收层薄膜结构,于第一层纳米量级厚度的铜铟镓硒吸收层薄膜结构上顺序制备第二层、第三层至第N层纳米量级厚度的铜铟镓硒吸收层薄膜结构,形成由N层纳米量级厚度的铜铟镓硒吸收层薄膜结构叠加起来的微米量级的铜铟镓硒吸收层薄膜,N介于10~50之间;步骤2:对叠加起来的微米量级的铜铟镓硒吸收层薄膜进行快速退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的