[发明专利]固体摄像装置制造方法无效
| 申请号： | 200910006975.4 | 申请日： | 2009-02-18 |
| 公开（公告）号： | CN101515567A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 桧山晋;平野智之 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L27/146;H04N5/335 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 陈桂香;武玉琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种固体摄像装置制造方法，在所述固体摄像装置中，在半导体基板上形成有检测电磁波并产生信号电荷的电荷生成部，并且在所述电荷生成部的检测面上方形成有具有负固定电荷的负电荷累积层，所述方法包括以下步骤：在所述电荷生成部的检测面上形成能够供氧的供氧膜；形成金属膜，使得所述金属膜覆盖所述电荷生成部的检测面上的所述供氧膜；以及在不活泼气氛中对所述金属膜进行热处理，从而在所述金属膜与所述电荷生成部的检测面上的所述供氧膜之间形成所述金属膜的氧化物，所述氧化物用作所述负电荷累积层。本发明能够只在电荷生成部的检测面上方形成氧化物绝缘膜并使其用作负电荷累积层，因而抑制由界面态引起的暗电流分量。 | ||
| 搜索关键词： | 固体 摄像 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种固体摄像装置制造方法，在所述固体摄像装置中，在半导体基板上形成有检测电磁波并产生信号电荷的电荷生成部，并且在所述电荷生成部的检测面上方形成有具有负固定电荷的负电荷累积层，所述方法包括以下步骤：在所述电荷生成部的检测面上形成能够供氧的供氧膜；形成金属膜，使得所述金属膜覆盖所述电荷生成部的检测面上的所述供氧膜；以及在不活泼气氛中对所述金属膜进行热处理，从而在所述金属膜与所述电荷生成部的检测面上的所述供氧膜之间形成所述金属膜的氧化物，所述氧化物用作所述负电荷累积层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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