[发明专利]具有凹凸基板的半导体元件的制造方法无效
| 申请号： | 200910007311.X | 申请日： | 2009-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101800274A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 吴哲雄;林志胜 | 申请（专利权）人： | 晶发光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星;张军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种具有凹凸基板的半导体元件的制造方法，所述半导体元件具有基板及多个半导体层，基板上包含多个第一凸部，所述制造方法包含：形成第一氧化层于基板上；涂布多个光阻部于第一氧化层上；蚀刻部份第一氧化层以形成多个第二凸部；去除光阻层并沉积第二氧化层于所述第二凸部及基板上；蚀刻第二氧化层并使第二氧化层形成圆弧状于所述第二凸部边缘；以及蚀刻圆弧状的第二氧化层、所述第二凸部及基板以形成所述的第一凸部。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 凹凸 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有凹凸基板的半导体元件的制造方法，所述半导体元件具有基板及多个半导体层，所述基板上包含多个第一凸部，所述制造方法包含：形成第一氧化层于所述基板上；涂布光阻层于所述第一氧化层上；曝光显影所述光阻层以形成多个光阻部；蚀刻没有被所述光阻部覆盖的所述第一氧化层以形成多个第二凸部；去除所述光阻层并沉积第二氧化层于所述第二凸部及所述基板上；蚀刻所述第二氧化层并使所述第二氧化层形成圆弧状于所述第二凸部边缘；蚀刻所述圆弧状的第二氧化层、所述第二凸部及所述基板以形成第一凸部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于晶发光电股份有限公司，未经晶发光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910007311.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
