[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体制造检查装置和检查装置有效
| 申请号： | 200910007501.1 | 申请日： | 2009-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN101533829A | 公开（公告）日： | 2009-09-16 |
| 发明（设计）人： | 加藤隆彦;中野广;赤星晴夫;高田裕二;须藤敬己;藤原彻男;菅野至;庄野友陵;广濑幸范 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/76 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置、半导体装置的制造方法、半导体制造检查装置和检查装置，该半导体装置具有Cu布线，该Cu布线具有不受布线宽度的变化影响的、能够把表面缺陷降低到比能实用的级别还低的基本晶体结构。在该半导体装置中，通过确定阻挡膜和籽膜，且使晶界∑值27以下的对应(CSL)晶界占该Cu布线的全部晶界的比例(频度)为60％以上，能够把表面缺陷降低到能实用的现状级别的1/10以下。或者，在该半导体装置中，通过确定该阻挡膜和籽膜，且使晶界∑值3的对应(CSL)晶界占该Cu布线的全部晶界的比例(频度)为40％以上，能够得到同样的降低表面缺陷的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 检查 | ||
【主权项】：
1. 一种半导体装置，具有半导体衬底、在该半导体衬底上设置的绝缘膜、以及与该绝缘膜之间隔着由阻挡膜和该阻挡膜上的籽膜构成的复合膜而在该绝缘膜中设置的至少一层Cu布线，其特征在于：上述阻挡膜含有Ta或Ru中的至少一种的晶体，上述籽膜由Cu与Al的合金晶体膜构成，上述Cu布线，在一个以上的Cu布线断面中，构成该Cu布线的晶体的全部晶界的60％以上由∑值27以下的对应晶界构成。
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