[发明专利]多安瓿输送系统无效
申请号: | 200910007548.8 | 申请日: | 2009-02-23 |
公开(公告)号: | CN101514446A | 公开(公告)日: | 2009-08-26 |
发明(设计)人: | D·萨里加尼斯;C·A·霍弗;M·J·克劳斯;E·普赖尔;S·彻斯特斯;R·斯波恩 | 申请(专利权)人: | 普莱克斯技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C14/24 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 温大鹏;曹 若 |
地址: | 美国康*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及一种多安瓿输送系统,其中集成的蒸气或液体相反应剂分配设备具有多个容器和多个载体或惰性气体供应/蒸气或液体相反应剂输送歧管,用来连续分配蒸气或液体相反应剂,例如用于在半导体材料和器件制造过程中材料沉积的前体。 | ||
搜索关键词: | 安瓿 输送 系统 | ||
【主权项】:
1.一种集成的蒸气相反应剂分配设备,包括:多个容器,每个容器包括构造成形成内部容器隔室的顶壁构件、侧壁构件和底壁构件,以便保持源化学品高达填充高度,并且另外限定填充高度以上的内部气体容积;顶壁构件的一部分具有载体气体供应入口开口,载体气体可经由其中供应到填充高度以上的所述内部气体容积,以便造成所述源化学品的蒸气变得携带在所述载体气体内,从而产生蒸气相反应剂;以及顶壁构件的一部分具有蒸气相反应剂出口开口,所述蒸气相反应剂可经由其中从所述容器分配;多个载体气体供应/蒸气相反应剂输送歧管,每个所述载体气体供应/蒸气相反应剂输送歧管互连;每个容器连接到至少一个载体气体供应/蒸气相反应剂输送歧管;每个载体气体供应/蒸气相反应剂输送歧管包括载体气体供应管线和蒸气相反应剂排放管线;所述载体气体供应管线从载体气体供应入口开口向上并从顶壁构件外部延伸,以便将载体气体输送到填充高度以上的所述内部气体容积,载体气体供应管线其中包括一个或多个载体气体流动控制阀,以便控制载体气体在其中的流动;并且所述蒸气相反应剂排放管线从蒸气相反应剂出口开口向上并从顶壁构件外部延伸,以便从填充高度以上的所述内部气体容积去除蒸气相反应剂,蒸气相反应剂排放管线其中任选地包括一个或多个蒸气相反应剂流动控制阀,以便控制蒸气相反应剂在其中的流动;以及一个或多个控制器,用于与每个所述载体气体供应/蒸气相反应剂输送歧管和每个所述容器连通,其方式是每个所述载体气体供应/蒸气相反应剂输送歧管可相互独立操作,并且每个所述容器可相互独立操作。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的