[发明专利]III族氮化物发光器件及制造III族氮化物基半导体发光器件的方法

摘要

本发明提供III族氮化物发光器件及制造III族氮化物基半导体发光器件的方法。在氮化镓基半导体区域的基面上生长具有量子阱结构的有源层。该量子阱结构以具有410nm以上的发射峰值波长的方式形成。阱层的厚度为4nm以上10nm以下。该阱层由In_XGa_1-XN(0.15≤X＜1，其中X为应变组分)组成。所述氮化镓基半导体区域的基面关于六方晶系III族氮化物的{0001}面或{000-1}面以15度以上85度以下的范围内的倾斜角倾斜。该范围中的基面是半极性面。

主权项

1.一种III族氮化物发光器件，包括：III族氮化物衬底；在所述III族氮化物衬底上生长的氮化镓基半导体区域；以及生长在所述氮化镓基半导体区域的基面上的发射峰值波长为410nm以上的有源层，其中，所述有源层包括以交替的方式布置阱层和势垒层的量子阱结构，所述阱层的厚度为4nm以上10nm以下，所述阱层由InXGa1-XN组成，其中0.15≤X＜1，X是应变组分，所述势垒层由InYGa1-YN组成，其中0≤Y≤0.05，Y＜X，Y是应变组分，以及，所述基面是相对于{0001}面或{000-1}面以15度以上85度以下的范围内的倾斜角倾斜的半极性面。