[发明专利]具有纳米碳管的阻抗随机存储器件及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200910007778.4 申请日: 2009-02-24
公开(公告)号: CN101599529A 公开(公告)日: 2009-12-09
发明(设计)人: 黄允泽 申请(专利权)人: 海力士半导体有限公司
主分类号: H01L45/00 分类号: H01L45/00;H01L27/24;H01L21/82;H01L21/283;G11C11/56;B82B1/00;B82B3/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 李昕巍
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 发明揭示了阻抗随机存储器件(ReRAM)及其制造方法。该阻抗随机存储器件能展现出改进的设置阻抗分布和重置阻抗分布。该阻抗随机存储器件包括下电极接触和二元氧化层,该下电极接触至少有一个纳米碳管;该二元氧化层在该下电极接触的上方形成。该二元氧化层用于依据其二种不同的阻抗状态而储存信息。
搜索关键词: 具有 纳米 阻抗 随机 存储 器件 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种阻抗随机存储器件,包括:下电极接触,其包括至少一个纳米碳管;及二元氧化层,在该下电极接触的上方形成,并且依据该二元氧化层至少两个不同的阻抗状态而储存信息。
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