[发明专利]具有纳米碳管的阻抗随机存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910007778.4 | 申请日： | 2009-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN101599529A | 公开（公告）日： | 2009-12-09 |
| 发明（设计）人： | 黄允泽 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/82;H01L21/283;G11C11/56;B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李昕巍 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明揭示了阻抗随机存储器件(ReRAM)及其制造方法。该阻抗随机存储器件能展现出改进的设置阻抗分布和重置阻抗分布。该阻抗随机存储器件包括下电极接触和二元氧化层，该下电极接触至少有一个纳米碳管；该二元氧化层在该下电极接触的上方形成。该二元氧化层用于依据其二种不同的阻抗状态而储存信息。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纳米 阻抗 随机 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种阻抗随机存储器件，包括：下电极接触，其包括至少一个纳米碳管；及二元氧化层，在该下电极接触的上方形成，并且依据该二元氧化层至少两个不同的阻抗状态而储存信息。
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