[发明专利]半导体存储元件无效
| 申请号： | 200910007879.1 | 申请日： | 2009-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN101515599A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 井野恒洋;安田直树;村冈浩一;藤木润;菊地祥子;有吉惠子 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体存储元件，包括：形成在半导体衬底上的隧道绝缘膜；形成在隧道绝缘膜上的具有Bevan簇的HfON电荷存储膜；形成在HfON电荷存储膜上的阻挡膜；和形成在阻挡膜上的栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储元件，包括：在半导体衬底上形成的隧道绝缘膜；在所述隧道绝缘膜上形成的具有Bevan簇的HfON电荷存储膜；在所述HfON电荷存储膜上形成的阻挡膜；和在所述阻挡膜上形成的栅电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910007879.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：耳机的组装方法
- 下一篇：一种含氨臭气与喷淋液的处理装置及其操作方法
- 同类专利
- 专利分类
