[发明专利]曝光条件设定方法、衬底处理装置和计算机程序

摘要

一种曝光条件设定方法、衬底处理装置和计算机程序，在具有被刻蚀层的测试衬底的该被刻蚀层上形成抗蚀剂膜，分别改变曝光量和聚焦值，以预定的测试图形对抗蚀剂膜的多个部位进行逐次曝光、显影，在上述多个部位形成抗蚀剂图形。然后，对被刻蚀膜进行刻蚀，剥离抗蚀剂图形，通过散射测量技术测定上述多个部位的被刻蚀膜的图形的形状，根据逐次曝光的曝光量以及聚焦值、抗蚀剂图形的线宽和刻蚀图形的线宽，决定为了得到所希望形状的刻蚀图形所允许的曝光量和聚焦值的组合的管理范围。

主权项

1.一种衬底处理装置，其具备：曝光处理部，以预定的图形对形成在具有被刻蚀层的衬底的该被刻蚀层上的抗蚀剂膜进行曝光；图形形状测定部，通过散射测量技术测定抗蚀剂图形的形状和刻蚀图形的形状；以及控制部，控制上述曝光处理部和上述图形形状测定部，其特征在于，上述控制部根据如下内容，在上述刻蚀图形之中存在其形状在预定的允许尺寸范围外的区域的情况下，改变上述测试衬底的曝光量和聚焦值的组合，以使全部刻蚀图形的形状落在上述允许尺寸范围内，即：用上述图形形状测定部测定上述多个部位的抗蚀剂图形的形状的结果，该多个部位的抗蚀剂图形的形状是分别改变曝光量和聚焦值、以预定的测试图形对形成在测试衬底上的抗蚀剂膜的多个部位进行逐次曝光、显影而得到的；对上述多个部位进行逐次曝光时的上述各部位的曝光量和聚焦值的组合；用上述图形形状测定部测定上述被刻蚀层的刻蚀图形的形状的结果，该被刻蚀层的刻蚀图形的形状是以预定的产品图形按预定的曝光量和聚焦值对具有被刻蚀层和抗蚀剂膜的产品衬底的该抗蚀剂膜进行曝光、显影、刻蚀并剥离上述抗蚀剂膜而得到的。