[发明专利]非易失性存储元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910008226.5 | 申请日： | 2009-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN101515600A | 公开（公告）日： | 2009-08-26 |
| 发明（设计）人： | 有吉惠子;高岛章;菊地祥子;村冈浩一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/792 | 分类号： | H01L29/792;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种非易失性存储元件及其制造方法。该非易失性存储元件包括：半导体区；相互隔开地设置在所述半导体区中的源区和漏区；设置在源区与漏区之间的半导体区上的隧道绝缘膜；设置在所述隧道绝缘膜上的电荷存储层；设置在所述电荷存储层上的阻挡绝缘膜；以及设置在所述阻挡绝缘膜上的控制栅电极。所述电荷存储层包括含有从包括Hf、Al、Zr、Ti和稀土金属的组中选择的至少一种材料、并且被全部或者部分地晶化的氧化物、氮化物或氧氮化物。所述阻挡绝缘膜包括含有至少一种稀土金属的氧化物、氧氮化物、硅酸盐或铝酸盐。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储元件，包括：半导体区；源区和漏区，相互隔开地设置在所述半导体区中；隧道绝缘膜，设置在所述源区与所述漏区之间的所述半导体区上；电荷存储层，设置在所述隧道绝缘膜上；阻挡绝缘膜，设置在所述电荷存储层上；以及控制栅电极，设置在所述阻挡绝缘膜上，其中所述电荷存储层包括含有从包括Hf、Al、Zr、Ti和稀土金属的组中选择的至少一种材料、并且被全部或者部分地晶化的氧化物、氮化物或氧氮化物，并且所述阻挡绝缘膜包括含有至少一种稀土金属的氧化物、氧氮化物、硅酸盐或铝酸盐。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝，未经株式会社东芝许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910008226.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：转换遥控信号的装置、遥控器、遥控装置及遥控方法
- 下一篇：输入装置
- 同类专利
- 专利分类
