[发明专利]单晶硅衬底多结太阳电池无效
| 申请号： | 200910009001.1 | 申请日： | 2009-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN101483202A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 索拉安吉 | 申请（专利权）人： | 北京索拉安吉清洁能源科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/052 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100032北京市西城*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于单晶硅衬底的多结太阳电池，用于太阳能发电，特别适用于高效聚光太阳能发电系统。其特征在于，采用硅单晶片为衬底，利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)或分子束外延(MBE)方法生长多结太阳电池材料。首先在硅单晶片上生长锗硅合金过渡层，再依次外延生长锗电池结构、铟镓砷电池结构和铟镓磷电池结构。该发明以硅单晶片替代锗单晶片和砷化镓单晶片，可以大大降低多结太阳电池的成本，提高硅基太阳电池的转换效率，加快太阳能发电的应用和发展。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 衬底 太阳电池 | ||
【主权项】：
1、一种具有掺杂阻挡层的多结太阳电池，用于高倍聚光太阳能发电系统，其特征在于：利用掺杂阻挡层有效阻挡隧道结高浓度掺杂的杂质向外扩散。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
