[发明专利]电场充电的半导体电池无效
| 申请号： | 200910009080.6 | 申请日： | 2009-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN101483197A | 公开（公告）日： | 2009-07-15 |
| 发明（设计）人： | 石艾志 | 申请（专利权）人： | 石艾志 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 唐山顺诚专利事务所 | 代理人： | 于文顺 |
| 地址： | 063040河北省唐*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体充电电池，特别是电场充电的半导体电池。技术方案是：包含掺杂质的N型半导体材料(1)和掺杂质的P型半导体材料(2)，将掺杂质的N型半导体材料(1)和掺杂质的P型半导体材料(2)结合到一起，中间形成阻挡层，也就是PN节，N型半导体材料区域为正极，P型半导体材料区域为负极，为电池的两极；将电场充电的半导体电池放入由正极板(3)、负极板(4)所形成的电场中，进行充电，正、负极板就是直流电源充电的两极。本发明的有益效果是：半导体材料电池容量大，体积小，寿命长，免维护，节能环保，半导体材料电池是一种新型材料的充电电池。 | ||
| 搜索关键词： | 电场 充电 半导体 电池 | ||
【主权项】：
1、一种电场充电的半导体电池，其特征是包含掺杂质的N型半导体材料(1)和掺杂质的P型半导体材料(2)，将掺杂质的N型半导体材料和掺杂质的P型半导体材料结合到一起，中间形成阻挡层，也就是PN节，N型半导体材料区域为正极，P型半导体材料区域为负极，为电池的两极。
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