[发明专利]一种具有高活性氟树脂薄膜及制备工艺和太阳能电池有效
| 申请号： | 200910009426.2 | 申请日： | 2009-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN101814533A | 公开（公告）日： | 2010-08-25 |
| 发明（设计）人： | 林建伟;费植煌;张育政 | 申请（专利权）人： | 苏州中来太阳能材料技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0203 | 分类号： | H01L31/0203;C09D5/00;H01L31/048;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京金之桥知识产权代理有限公司 11137 | 代理人： | 林建军 |
| 地址： | 215500 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种具有高活性氟树脂薄膜，其特征在于：包括具有双模分子量分布的聚全氟乙丙烯树脂制成的基层和位于在所述基层表面的氟硅氧烷化成膜层或硅钛化成膜层。本发明采用双模分子量分布的聚全氟乙丙烯树脂制成基层，并对基层进行氟硅氧烷化或硅钛化处理，形成氟硅氧烷化成膜层或硅钛化成膜层，从而具有较高的耐腐蚀性、高的耐候性、高阻燃性，同时使得薄膜外表面具有高耐刮性，内表面增加与玻璃面板或背板的粘结性，具有较高的透明度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 活性 树脂 薄膜 制备 工艺 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种具有高活性氟树脂薄膜，其特征在于：包括具有双模分子量分布的聚全氟乙丙烯树脂制成的基层和位于在所述基层表面的氟硅氧烷化成膜层或硅钛化成膜层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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