[发明专利]半导体装置的制造方法及半导体装置

摘要

本发明提供一种多个半导体元件分别具有所期望的特性且可靠性高的半导体装置、以及可容易地制造该半导体装置的半导体装置的制造方法。在栅极绝缘膜6的上表面上，遍及整个表面形成厚度为3～30nm的栅电极用金属膜M。接着，在栅电极用金属膜M的上表面中仅属于nFET区域Rn内的部分上，遍及整个表面形成与栅电极用金属膜M为不同种材料、且厚度为10nm以下的n侧盖层8A。其后进行热处理，使n侧盖层8A向其正下方的栅电极用金属膜M内扩散并反应，从而在nFET区域Rn内形成n侧栅电极用金属膜MA。此后，堆积多晶Si层，并实施栅电极加工。

主权项

1. 一种半导体装置的制造方法，该半导体装置是将导电型彼此不同的第1导电型半导体元件与第2导电型半导体元件一同设置，其特征在于包括：在半导体基板上，形成使形成有所述第1导电型半导体元件的第1导电型元件区域与形成有所述第2导电型半导体元件的第2导电型元件区域彼此分离的元件分离膜的工序；在配设于所述半导体基板的主面上的栅极绝缘膜的表面上，形成第1金属膜的工序；在形成于所述第1导电型元件区域上的所述第1金属膜的上表面上，形成与所述第1金属膜为不同种材料的第1盖层的工序；利用第1热处理而使所述第1盖层与所述第1导电型元件区域内的所述第1金属膜产生反应的工序；以及形成在所述第1导电型元件区域与所述第2导电型元件区域上具有不同的组成的双栅电极构造的工序。