[发明专利]低带隙半导体氧化物、其制造方法以及包含其的染料敏化太阳能电池无效
| 申请号： | 200910009688.9 | 申请日： | 2009-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN101525153A | 公开（公告）日： | 2009-09-09 |
| 发明（设计）人： | N·卡卡达;S·K·拉马塞沙 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C01G23/047 | 分类号： | C01G23/047;H01G9/20;H01M14/00;H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吕彩霞;林 森 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 低带隙半导体氧化物、其制造方法以及包含其的染料敏化太阳能电池。低带隙半导体氧化物(18)，其包含用选自碳、氮、氟及其组合的阴离子掺杂的纳米晶体多孔粒子，其中该掺杂的纳米晶体多孔半导体氧化物具有比未掺杂的半导体氧化物更低的带隙能。使用燃烧合成方法来制备该低带隙材料。还公开了含有该掺杂的半导体氧化物(18)的染料敏化太阳能电池(10)。 | ||
| 搜索关键词： | 低带隙 半导体 氧化物 制造 方法 以及 包含 染料 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1.一种低带隙TiO2材料，其包含：用选自碳、氮、氟及其组合的阴离子掺杂的纳米晶体多孔TiO2粒子，其中该掺杂的纳米晶体多孔TiO2具有小于3.2eV的带隙能。
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