[发明专利]光学传感器元件、成像装置、电子设备和存储元件有效
申请号: | 200910009810.2 | 申请日: | 2009-01-23 |
公开(公告)号: | CN101499498A | 公开(公告)日: | 2009-08-05 |
发明(设计)人: | 田中勉;达拉姆·帕尔·戈斯艾因 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L31/113 | 分类号: | H01L31/113;H01L29/78;H01L27/146;G11C11/42 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余 刚;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供了光学传感器元件、成像装置、电子设备和存储元件,其中,该光学传感器元件具有经由栅极绝缘膜与由氧化物半导体构成的半导体层相对的栅电极、连接至半导体层的源电极和漏电极,其中,被半导体层接收的光量被读出作为相对于栅电压以非易失性方式变化的漏电流。本发明能够使用最新发现的由于半导体层的光接收带来Vg-Id特性的非易失性变化来检测被半导体层接收的光量,并且能够将此非易失性变化用作存储器功能。 | ||
搜索关键词: | 光学 传感器 元件 成像 装置 电子设备 存储 | ||
【主权项】:
1. 一种光学传感器元件,具有经由栅极绝缘膜与由氧化物半导体构成的半导体层相对的栅电极、连接至所述半导体层的源电极和漏电极,其中被所述半导体层接收的光量被读出作为相对于栅电压以非易失性方式变化的漏电流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的