[发明专利]具有垂直柱状晶体管的半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910009985.3 | 申请日： | 2009-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN101556954A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 金经都 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/085 | 分类号： | H01L27/085;H01L29/06;H01L23/52;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张 波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有垂直柱状晶体管的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括形成在硅衬底的各个硅柱中的垂直柱状晶体管。该垂直柱状晶体管的栅极选择性地形成在硅柱的下部的一个表面上，该垂直柱状晶体管的漏极区彼此连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 柱状 晶体管 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：多个垂直柱状晶体管，形成在硅衬底的各个硅柱中，每个垂直柱状晶体管包括：栅极，选择性地形成在所述硅柱的下部的一个表面上；及漏极区，其中两个相邻的垂直柱状晶体管的所述漏极区被连接。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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