[发明专利]一种聚合物平面纳米沟道制作方法

摘要

本发明一种聚合物平面纳米沟道制作方法，属于微纳流控芯片制造技术领域，涉及一种聚合物平面纳米沟道的制作方法，应用在生命科学、医学、分析化学等领域。聚合物平面纳米沟道制作方法首先基于标准的紫外光刻和化学湿法腐蚀技术在聚合物基片上制作出线宽为微米级的金属掩蔽图形，接着利用一台等离子体清洗机对暴露在外的聚合物进行氧气等离子体刻蚀，通过设定刻蚀时间，便可以精确控制聚合物纳米沟道的刻蚀深度；最后利用化学湿法腐蚀去除金属掩蔽图形，便得到了聚合物平面纳米沟道。本发明不需要为实现聚合物刻蚀而购买操作复杂、价格昂贵的反应离子刻蚀或感应耦合等离子体刻蚀设备。纳米沟道的整个制作过程简单、周期短、成本低。

主权项

1、一种聚合物平面纳米沟道制作方法，其特征是，首先基于标准的紫外光刻和化学湿法腐蚀技术在聚合物基片上制作出线宽为微米级的金属掩蔽图形，然后利用一台等离子体清洗机对暴露在外的聚合物进行氧气等离子体刻蚀，通过设定刻蚀时间，便可以精确控制聚合物纳米沟道的刻蚀深度；制作方法如下：(1)利用磁控溅射台在聚合物基片上溅射一层厚度约为80nm的铜薄膜；(2)利用匀胶机在铜薄膜表面旋涂一层正性光刻胶，并在55℃的热板上前烘1小时；(3)利用紫外光刻机对光刻胶曝光30秒，显影后再次放到55℃的热板上后烘1小时；(4)以光刻胶为掩蔽层，利用浓度为2.5％的硝酸溶液对暴露在外的铜薄膜进行腐蚀，得到铜掩蔽图形；(5)对光刻胶进行整体紫外曝光120秒，然后放入浓度为0.5％的氢氧化钠溶液中，去除光刻胶；(6)将带有铜掩蔽图形的聚合物基片放入等离子体清洗机中，进行氧气等离子体刻蚀；其中，等离子体清洗机的射频功率设置为60W，腔室压力设置为200Pa，通过设定刻蚀时间，便可以精确控制纳米沟道的刻蚀深度；(7)利用浓度为2. 5％的硝酸溶液去除铜掩蔽图形，便得到了聚合物平面纳米沟道。