[发明专利]一种锶变质含硅高强镁合金及其制备方法有效

专利信息
申请号: 200910011282.4 申请日: 2009-04-24
公开(公告)号: CN101871067A 公开(公告)日: 2010-10-27
发明(设计)人: 杨院生;周吉学;王杰;王晶;童文辉 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C22C23/00 分类号: C22C23/00;C22C23/02;C22C1/06;B22D21/04
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 代理人: 张志伟
地址: 110016 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及一种含铝(Al)、硅(Si)与锶(Sr)的锶变质高强镁合金及其制备方法,属于金属材料类及冶金领域。本发明合金的组分及重量百分比为:Al:0-6.0%,Si:0.5-2.0%,Sr:0.01-1.0%,剩余部分为Mg和不可避免的杂质。本发明的制备工艺为:在熔剂或者气体保护下,将含镁锭、铝锭与Si熔化后,加入0.01-1.0%(重量百分比)的工业纯Sr或者含有0.01-1.0%(重量百分比)Sr的Mg-Sr或者Al-Sr中间合金,对合金液精炼后进行铸造。本发明通过在含Si镁合金中加入Sr,来细化合金晶粒尺寸,变质含Si镁合金中Mg2Si强化相,起到组织细化和合金强化的作用。本发明合金在铸态下,抗拉强度σb达到177-221MPa,屈服强度σ0.2达到69-101MPa,延伸率δ达到7.1-8.4%。
搜索关键词: 一种 变质 高强 镁合金 及其 制备 方法
【主权项】:
一种锶变质含硅高强镁合金,其特征在于,其组分及重量百分比为:Al:0-6.0%,Si:0.5-2.0%,Sr:0.01-1.0%,剩余部分为Mg和不可避免的杂质。
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