[发明专利]一种三维网络碳化硅表面制备氧化铝陶瓷薄膜的方法有效

专利信息
申请号: 200910011491.9 申请日: 2009-05-12
公开(公告)号: CN101550030A 公开(公告)日: 2009-10-07
发明(设计)人: 茹红强;闫海乐;武艳君;马娅娜;喻亮;岳新艳;房明 申请(专利权)人: 东北大学
主分类号: C04B41/87 分类号: C04B41/87;C04B35/10
代理公司: 沈阳东大专利代理有限公司 代理人: 李在川
地址: 110004辽宁省*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种三维网络碳化硅表面制备氧化铝陶瓷薄膜的方法,属于材料技术领域,包括以下步骤:(1)采用溶胶-凝胶法制备含铝溶胶;(2)采用真空浸渍法在3D-SiC上进行涂覆;(3)涂覆含铝溶胶完成后的三维网络碳化硅进行烧结。本发明以廉价的原料、简单的制备方法、简短的制备周期,在3D-SiC基体表面制备均匀、致密、气孔率低的Al2O3陶瓷薄膜,薄膜与基体有较强的结合强度,薄膜的抗热震性优良,从而实现对3D-SiC/钢的界面反应进行控制。
搜索关键词: 一种 三维 网络 碳化硅 表面 制备 氧化铝陶瓷 薄膜 方法
【主权项】:
1、一种三维网络碳化硅表面制备氧化铝陶瓷薄膜的方法,包括溶胶制备,薄膜涂覆和烧结,其特征在于按以下步骤进行:(1)以硝酸铝为先驱体,配制0.18~0.3mol/L的硝酸铝溶液,加入碱性溶液调节pH值为8.5~9.5,过滤,获得固相沉淀,用水洗4~6次;将水洗后的固相沉淀与水混合,水的用量按固相沉淀中的铝离子和水的摩尔比为Al3+∶H2O=1∶95~110;然后加入无机酸溶液调节pH值为3~4.5,加热至50±10℃静置9~13h,获得含铝溶胶;(2)将三维网络碳化硅在真空条件下浸没在含铝溶胶中,浸渍15~25min,然后取出在150~210℃条件下烘干10~60min;重复以上步骤2~4次,完成涂覆;(3)将涂覆含铝溶胶完成后的三维网络碳化硅以2~5℃/min的速度升温至850~920℃,保温2.4~3.2h,在三维网络碳化硅表面制备出氧化铝陶瓷薄膜。
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