[发明专利]一种制取太阳能级硅的方法和装置有效
申请号: | 200910012153.7 | 申请日: | 2009-06-22 |
公开(公告)号: | CN101585537A | 公开(公告)日: | 2009-11-25 |
发明(设计)人: | 李绍光 | 申请(专利权)人: | 李绍光 |
主分类号: | C01B33/033 | 分类号: | C01B33/033;C01G9/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 110013辽宁省沈阳市*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 一种制取太阳能级硅的方法,包括工业硅氯化步骤、四氯化硅蒸馏纯化步骤、四氯化硅还原步骤、四氯化硅还原后尾气分离步骤,其特征在于:(1)四氯化硅蒸馏纯化步骤由两级以上的蒸馏塔来完成,第一级的蒸馏温度为15~25℃;第二级以后的蒸馏温度为60~70℃;(2)另加有由工作温度为350℃、800℃和950~1000℃的三个部分构成的锌蒸气纯化步骤;(3)在四氯化硅还原步骤中采用锌蒸气作还原剂,并且950~1000℃的流化床中进行;(4)四氯化硅还原后尾气分离步骤由两级冷凝分离器来完成,工作温度分别为650~700℃和350~400℃;(5)另加有四氯化硅循环步骤,它由前、后两段加热系统来完成,工作温度分别为650~700℃和950~1000℃。本发明还提出了一种为实施上述方法的装置,采用本发明既可节约成本;又可消除环境污染。 | ||
搜索关键词: | 一种 制取 太阳 能级 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种制取太阳能级硅的方法,包括工业硅氯化步骤、四氯化硅蒸馏纯化步骤、四氯化硅还原步骤、四氯化硅还原后尾气分离步骤,其特征在于:(1)四氯化硅蒸馏纯化步骤由两级以上的蒸馏塔来完成,第一级的蒸馏温度为15~25℃;第二级以后的蒸馏温度为60~70℃;(2)另加有由工作温度为350℃、800℃和950~1000℃的三个部分构成的锌蒸气纯化步骤;(3)在四氯化硅还原步骤中采用锌蒸气作还原剂,其还原步骤在工作温度为950~1000℃流化床中进行;(4)四氯化硅还原后尾气分离步骤由两级冷凝分离器来完成,第一级冷凝分离器工作温度为650~700℃,分离出四氯化硅;第二级冷凝分离器工作温度为350~400℃,分离出锌和氯化锌;(5)另加有四氯化硅循环步骤,它由前、后两段加热系统来完成,其前段工作温度为650~700℃;后段工作温度为950~1000℃。
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