[发明专利]一种制取太阳能级硅的方法和装置有效

专利信息
申请号: 200910012153.7 申请日: 2009-06-22
公开(公告)号: CN101585537A 公开(公告)日: 2009-11-25
发明(设计)人: 李绍光 申请(专利权)人: 李绍光
主分类号: C01B33/033 分类号: C01B33/033;C01G9/04
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 110013辽宁省沈阳市*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种制取太阳能级硅的方法,包括工业硅氯化步骤、四氯化硅蒸馏纯化步骤、四氯化硅还原步骤、四氯化硅还原后尾气分离步骤,其特征在于:(1)四氯化硅蒸馏纯化步骤由两级以上的蒸馏塔来完成,第一级的蒸馏温度为15~25℃;第二级以后的蒸馏温度为60~70℃;(2)另加有由工作温度为350℃、800℃和950~1000℃的三个部分构成的锌蒸气纯化步骤;(3)在四氯化硅还原步骤中采用锌蒸气作还原剂,并且950~1000℃的流化床中进行;(4)四氯化硅还原后尾气分离步骤由两级冷凝分离器来完成,工作温度分别为650~700℃和350~400℃;(5)另加有四氯化硅循环步骤,它由前、后两段加热系统来完成,工作温度分别为650~700℃和950~1000℃。本发明还提出了一种为实施上述方法的装置,采用本发明既可节约成本;又可消除环境污染。
搜索关键词: 一种 制取 太阳 能级 方法 装置
【主权项】:
1.一种制取太阳能级硅的方法,包括工业硅氯化步骤、四氯化硅蒸馏纯化步骤、四氯化硅还原步骤、四氯化硅还原后尾气分离步骤,其特征在于:(1)四氯化硅蒸馏纯化步骤由两级以上的蒸馏塔来完成,第一级的蒸馏温度为15~25℃;第二级以后的蒸馏温度为60~70℃;(2)另加有由工作温度为350℃、800℃和950~1000℃的三个部分构成的锌蒸气纯化步骤;(3)在四氯化硅还原步骤中采用锌蒸气作还原剂,其还原步骤在工作温度为950~1000℃流化床中进行;(4)四氯化硅还原后尾气分离步骤由两级冷凝分离器来完成,第一级冷凝分离器工作温度为650~700℃,分离出四氯化硅;第二级冷凝分离器工作温度为350~400℃,分离出锌和氯化锌;(5)另加有四氯化硅循环步骤,它由前、后两段加热系统来完成,其前段工作温度为650~700℃;后段工作温度为950~1000℃。
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