[发明专利]一种基于多单元合成式反射镜的功率型发光二极管的制作方法

摘要

本发明公开的一种基于多单元合成式反射镜的功率型垂直发光二极管的制作方法，将功率型垂直发光二极管的反射镜微隔离形成多单元合成式反射镜，大幅降低高温焊接过程产生的热应力对Ag与半导体表面粘附力的影响，并进一步在各单元反射镜微隔离带填充等高度的高阻材料，提供平整焊接面保证焊接强度，实现功率型垂直发光二极管的高成品率，同时也实现了电流阻挡结构设计以提升功率型垂直发光二极管的发光效率。

主权项

一种基于多单元合成式反射镜的功率型发光二极管的制作方法，其步骤如下，步骤一：在蓝宝石衬底上外延生长GaN基蓝光LED发光材料，发光材料依次包括n型GaN基半导体层、活性层和p型GaN基半导体层；步骤二：在p型GaN基半导体层上沉积反射金属膜，采用化学蚀刻去除各周期器件周围区域及周期器件中央部分区域的反射金属膜，即将反射镜金属膜进行微隔离形成多单元合成式反射镜金属膜，隔离的各单元反射镜之间暴露出p型GaN基外延表面；步骤三：在氮气氛围下对反射金属膜进行高温热退火处理形成欧姆接触；步骤四：在暴露出的p型GaN基外延表面沉积与Ag厚度相当的高阻填充材料；步骤五：在反射金属膜及高阻填充材料上沉积阻挡层金属；步骤六：在阻挡层金属材料上沉积上焊接金属；步骤七：取一散热基板，并在散热基板上沉积下焊接金属；步骤八：采用共晶键合方式将步骤一至步骤五制备好的GaN基外延膜连接到步骤七制备好的散热基板上；步骤九：去除蓝宝石衬底；步骤十：在高阻材料填充区域垂直对应的n型GaN基外延上表面区域沉积上电极；步骤十一：在散热基板下表面沉积下电极。