[发明专利]一种垂直GaN基LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 200910016824.7 | 申请日： | 2009-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN101604717A | 公开（公告）日： | 2009-12-16 |
| 发明（设计）人： | 沈燕;徐现刚;李树强;夏伟;任忠祥 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 250101山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种垂直GaN基LED芯片及其制作方法，该芯片包括衬底、N型GaN、量子阱有源层、P型GaN、电流扩展层、金属反射镜和导电基板，在导电基板上制作有P电极，在衬底上设有直至N型GaN层的窗口，该窗口内各面蒸镀有一层金属，在这一金属层上引出有N电极。其制作方法包括：按常规方法在蓝宝石或者6H-SiC透明衬底上自下而上依次外延生长N型GaN、量子阱有源层、P型GaN和电流扩展层；在电流扩展层上制作金属反射镜；在金属反射镜上焊接导电基板；加工直至N型GaN层的窗口；在窗口内各面上蒸镀金属层，在金属层上引出N电极。本发明减少了工艺过程中不稳定因素影响，GaN基LED芯片有效发光面积利用率高，芯片电流扩展好，管芯散热好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 gan led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直GaN基LED芯片，自上而下依次包括蓝宝石或者6H-SiC透明衬底、N型GaN、量子阱有源层、P型GaN、电流扩展层、金属反射镜、键合焊接层和导电基板，在导电基板上制作有P电极，其特征是：在蓝宝石或者6H-SiC透明衬底上设有直至N型GaN层的窗口，该窗口内各面蒸镀有一层金属，在这一金属层上引出有N电极。
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