[发明专利]单晶锗锰磁性半导体/锗磁性异质结二极管及其制备方法无效
| 申请号： | 200910017191.1 | 申请日： | 2009-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN101615634A | 公开（公告）日： | 2009-12-30 |
| 发明（设计）人： | 颜世申;田玉峰;邓江峡;陈延学;刘国磊;梅良模 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H01L29/96 | 分类号： | H01L29/96;H01L21/329 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王绪银 |
| 地址： | 250100山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 单晶锗锰铁磁半导体/锗磁性异质结二极管及其制备方法，属于信息技术自旋电子器件技术领域。异质结二极管的p型层为单晶Ge1-xMnx铁磁半导体，锰的摩尔百分比含量x为：0＜x＜15％；Ge层为商业的本征的单晶半导体Ge或微量Sb掺杂的n型单晶半导体Ge，其室温下的整流特性可用磁场调控，磁电阻在Ge1-xMnx居里温度附近有极值，显示其输运与Ge1-xMnx磁性半导体密切相关，其制备工艺与硅半导体制备工艺相匹配。利用分子束外延在单晶锗衬底上通过共蒸发的方式外延生长锗锰磁性半导体制备单晶锗锰铁磁半导体/锗磁性异质结二极管。且本发明方法制备的单晶锗锰铁磁半导体/锗磁性异质结二极管可以与现代半导体硅工艺很好的匹配，因此在自旋电子器件方面具有良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶锗锰 磁性 半导体 异质结 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种单晶锗锰磁性半导体/锗磁性异质结二极管，其特征在于，p型层为单晶Ge1-xMnx铁磁半导体，锰的摩尔百分比含量x为：0＜x＜15％；Ge层为商业的本征的单晶半导体Ge或微量Sb掺杂的n型单晶半导体Ge，其室温下的整流特性可用磁场调控，磁电阻在Ge1-xMnx居里温度附近有极值，显示其输运与Ge1-xMnx磁性半导体密切相关，其制备工艺与硅半导体制备工艺相匹配。
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